A032103电子工业专用生产设备

该设备主要用于支撑GAA器件中急需的新型高介电常数栅介质HfLaO及原位金属栅生长，构建多腔室新型高k金属栅ALD生长平台，实现真空环境下高k介质和金属栅连续高质量生长。多腔室ALD生长系统，可以保证晶圆在不破真空的前提下实现栅叠层的连续生长，从而获得面向GAA器件高精度三维填充及器件特性灵活调控功能。设备配置为cluster机台，满足8英寸晶圆作业需求，配置载片腔，1个传输腔，2个ALD反应腔，可单次装载片数25片，可实现机械手自动取送片，腔体数量可升级。ALD腔体可实现温度范围：室温-500C；ALD热源前驱体管路可实现加热温度范围：室温-300C，管路≥2，可扩展升级；需配置鼓泡系统或同等装置，以保证低蒸气压前驱体或粉末状前驱体（如La源）顺利传输，不发生管壁冷凝或管路堵塞现象； ALD液源前驱体管路，可实现低于室温温度控制，以保证前驱源输送过程中不冷凝，管路≥3，可扩展升级； ALD腔体1，具备HfO2，La2O3、HfLaO工艺能力，膜厚范围可实现1nm-10nm；ALD腔体1，具备SiN工艺能力，生长温度<400C，膜厚可实现范围1nm-20nm；ALD腔体2，需具备TiN，TaN，TiAlC工艺能力，膜厚可实现范围0.5nm-10nm。